便携式IGBT测试仪加工-华科地铁IGBT

测试参数：ices 集电极-发射极漏电流igesf 正向栅极漏电流 igesr 反向栅极漏电流bvces 集电极-发射极击穿电压vgeth 栅极-发射极阈值电压vcesat 集电极-发射极饱和电压icon 通态电极电流vgeon 通态栅极电压vf 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，江西便携式igbt测试仪，电脑软件携带数据库管理查询功能，便携式igbt测试仪加工，可生成测试曲线，便携式igbt测试仪---，方便操作使用。

目的和用途该设备用于功率半导体模块igbt、frd、肖特基二极管等的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。1.2 测试对象igbt、frd、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通---时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量： 0.2～1mj±5%±0.01mj1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj100～500mj±5%±2mj5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000a/us6、开通峰值功率pon：10w～250kw