四川封装用IGBT测试仪---

三、华科智源igbt测试仪系统特征： a：测量多种igbt、mos管 b：脉冲电流1200a，电压5kv，测试范围广；2011年，我们在深圳地铁运营公司前海车辆段大修车间，进行了实际的展示与操作，厂方提供了许多元件来测试，其中一部份由于损毁-，在一开始的功能与元件判别过程，即被判出局，而未进入实质的参数量测，也有全新的igbt，量测结果完全合乎出厂规格。 c：脉冲宽度 50us~300us d：vce测量精度2mv e：vce测量范围>10v f：电脑图形显示界面 g：智能保护被测量器件 h：上位机携带数据库功能 i：mos igbt内部二极管压降 j : 一次测试igbt全部静态参数 k: 生成测试曲线iv曲线直观看到igbt特性，可以做失效分析以及故障定位 l:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

8高压大功率开关

?电流能力 200a

?隔离耐压 10kv

?响应时间 150ms

?脉冲电流 20ka不小于10ms

?工作方式 气动控制

?工作气压 0.4mpa

?工作温度 室温～40℃

?工作湿度 <70%

9尖峰抑制电容

用于防止关断瞬态过程中的igbt器件电压过冲。

?电容容量 200μf

?分布电感 小于10nh

?脉冲电流 200a

?工作湿度 <70%

产品主要有电力半导体器件、组件、模块包括igbt器件、新型sic器件、功率晶闸管及功率整流管等的检测及-性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、gto、igbt、igct、mosfet驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、igbt的智能高压驱动板等。半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，提升检测水平，增加经济效益。

3igbt饱和压降/frd正向导通压降测试电路 通态压降测试电路 ?高压充电电源：10~1500v连续可调 ?支撑电容：额定电压2kv ?2 机台可测igbt项目 及测试范围 vge(th)栅极阈值电压 vces集射极截止电压 ices集射极截止电流 vce(sat)饱和导通压降 iges栅极漏电流 vf二极管导通电压 可以测5000v,1600a以下的igbt模块 * 3。饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10v±3%±0.01v ?栅极电压输出要求：5～25v±1%±0.01v ?集电极电流测试设备精度： 200～500a±3%±1a；500～1000a±2%±2a ?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定 4栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路 ?可调电源：±1ｖ～±40v±2%±0.1v； ?小电流测量设备精度：0.01～10μa±2%±0.005μa ?栅极电压vge：±1ｖ～40v±1%±0.1v； ?脉冲时间：40~100ms可设定