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深圳市华科智源科技有限公司
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现今power mosfet(金属氧化物场效晶体管)及igbt绝缘栅型场效应晶体管已成为大功率元件的主流,在市场上居于--。由于科技进步,电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动mosfet及igbt的发展,尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换.1开通:turnon(tdon,tr,di/dt,ipeak,eon,pon)。...等领域,使半导体开发-在市场需求下,对大功率元件的发展技术,持续在突破。
3.6 vces 集射极截止电压 0~5000v 集电极电流ices: 0.01~1ma±3%±0.001ma; 1~10ma±2%±0.01ma; 10~50ma±1%±0.1ma; 集电极电压vces: 0-5000v±1.5%±2v; * 3.7 ices 集射极截止电流 0.01~50ma 集电极电压vces: 50~500v±2%±1v; 500~5000v±1.5%±2v; 集电极电流ices: 0.001~1ma±3%±0.001ma; 1~10ma±2%±0.01ma; 10~150ma±1%±0.1ma;1有完备的安全控制单元,动态测试设备有传感器来-操作者安全,设备任何门被打开均能快速切断高压电源。 * 3.8 vce(sat) 饱和导通压降 0.001~10v 集电极电流ice: 0-1600a 集电极电压vces: 0.001~10v±0.5%±0.001v 栅极电压vge: 5~40v±1%±0.01v 集电极电流ice: 0~100a±1%±1a; 100~1600a±2%±2a; * 3.9 iges 栅极漏电流 0.01~10μa 栅极漏电流iges: 0.01~10μa±2%±0.005μa 栅极电压vge: ±1v~40v±1%±0.1v; vce=0v; * 3.10 vf 正向特性测试 0.1~5v 二极管导通电压vf: 0.1~5v±1%±0.01v 电流if: 0~100a±2%±1a; 100~1600a±1.5%±2a;
9、系统保护功能
9.1 有完备的安全控制单元,动态测试设备有传感器来-操作者安全,设备任何门被打开均能快速切断高压电源。
9.2 有急停按钮,当急停按钮被按下时,迅速切断所有高压电源。
9.3 系统带有短路保护功能,在过载时迅速断开高压高电流。
9.4 操作系统带有多级权限。
9.5 系统应配有内置ups,-计算机系统在电网短时间掉电情况下,为系统供电0.5小时以上,-系统及数据安全。
10、样品夹具
10.1 有通用测试夹具。
10.2 带有62mm封装-测试夹具
10.3 带有econopack3封装-测试夹具
10.4 带有34mm封装-测试夹具
安全工作区测试负载电感
?电感量 1mh 、10mh、50mh、100mh
?电流 通过选择不同档位电感,满足0~200a电流输出需求10ms
?瞬态电压 大于10kv
?负载电感 配备自动切换开关,可分别接通不同电感值,由计算机控制自动接通;自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。
5补充充电回路限流电感
-充电回路中的di/dt。
?电感量 100μh
?电流能力 6000a 5ms
?瞬时耐压 10kv
?工作温度室温~40℃
?工作湿度 <70%