新疆检修用IGBT测试仪-满意的选择

半导体元件除了本身功能要-之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的特性很难-，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以-出厂测试的参数真实有效。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个-的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。

三、华科智源igbt测试仪系统特征： a：测量多种igbt、mos管 b：脉冲电流1200a，电压5kv，测试范围广；同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比。 c：脉冲宽度 50us~300us d：vce测量精度2mv e：vce测量范围>10v f：电脑图形显示界面 g：智能保护被测量器件 h：上位机携带数据库功能 i：mos igbt内部二极管压降 j : 一次测试igbt全部静态参数 k: 生成测试曲线iv曲线直观看到igbt特性，可以做失效分析以及故障定位 l:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

参数名称 符号 参数名称 符号

开通-时间 td(on) 关断-时间 td(off)

上升时间 tr 下降时间 tf

开通时间 ton 关断时间 toff

开通损耗 eon 关断损耗 eoff

栅极电荷 qg

短路电流 isc / /

可测量的frd动态参数

反向恢复电流 irm 反向恢复电荷 qrr

反向恢复时间 trr 反向恢复损耗 erec